新年伊始，英嘉通半导体推出首款65 W氮化镓PD快充设计方案。方案采用英嘉通650 V增强型氮化镓功率器件IGC6E01R0，为Ingacom HybridGaN TM 系列器件之一。该器件具有低导通电阻，低寄生电容等特点，适用于高频高电压功率转换应用，并进一步提升功率密度。

方案搭载主流的安森美NCP1342作为初级主控芯片，高工作频率，满足小体积高功率密度需求。次级同步整流部分使用MPS MP6908A搭配恒泰柯 HGN080N10AL 100 V MOS为用户提供输出功率。

方案整体体积仅为30 mm X 19 mm X 19 mm，具有高功率密度、高效率（峰值效率 > 93 %）、低待机功耗（待机功耗 < 60 mW）等特点，220 V AC下氮化镓功率器件IGC6E01R0温升表现良好，安全可靠。同时支持多种充电协议，性能参数比肩现有商用65 W氮化镓快充产品。目前器件各项参数标准及可靠性已验证完成，预计2021年第一季度正式推出。