英嘉通GaN具有以下优点：

· 氮化镓器件品质因数（RON*QG）好，性能出色；

· CASCODE以硅器件为栅极，阈值电压高（1.7V以上），可调范围大，应用安全，不易受干扰；

· CASCODE栅极耐压范围大(±20V)，栅极驱动余量大，可靠性好，无需栅极钳位电路，且不需要负压关断；

· 兼容传统的功率 Si MOSFET 栅极驱动器，（12V/5V均可，直接用原有驱动元件）研发投入成本低，周期短，见效快。

卫星通信系统实际上也是一种微波通信，它以卫星作为中继站转发微波信号，在多个地面站之间通信，卫星通信的主要目的是实现对地面的“无缝隙”覆盖.英嘉通GaN射频产品能为卫星L/S/C波段通信提供更好的产品和服务。

GaN具有优异的高功率密度和高频特性。在基站端GaN射频器件更能有效满足5G的高功率、高通信频段和高效率等要求。目前5G NR大部分6G Hz以下宏站都采用了GaN RF功率管。英嘉通能够提供各类通信频段射频PA产品，为客户提供高性价比的产品和解决方案。

无线射频不仅可以作为信号载体（雷达，移动通信等），而且其本身也是一种能量的载体。这种能量目前也得到了广泛的应用（微波炉，核磁共振）。固态射频功率半导体在这种应用中扮演了重要的角色。英嘉通能够提供VHF到C波段高功率射频半导体产品。致力于为客户提供高性价比的产品和解决方案，并愿和业内伙伴共同推动射频能量行业发展。